薄膜电池分类为以下3种。
砷化镓太阳能电池。
gaas属于iii-v族化合物半导体材料,其能隙为1.4ev,正好为高吸收率太阳光的值,与太阳光谱的匹配较适合,且能耐高温,在250℃的条件下,光电转换性能仍很良好,其最高光电转换效率约30%,特别适合做高温聚光太阳电池。
砷化镓生产方式和传统的硅晶圆生产方式大不相同,砷化镓需要采用磊晶技术制造,这种磊晶圆的直径通常为4—6英寸,比硅晶圆的12英寸要小得多。磊晶圆需要特殊的机台,同时砷化镓原材料成本高出硅很多,最终导致砷化镓成品ic成本比较高。磊晶目前有两种,一种是化学的mocvd,一种是物理的mbe。gaas等iii-v化合物薄膜电池的制备主要采用movpe和lpe技术,其中movpe方法制备gaas薄膜电池受衬底位错,反应压力,iii-v比率,总流量等诸多参数的影响。gaas(砷化镓)光电池大多采用液相外延法或mocvd技术制备。用gaas作衬底的光电池效率高达29.5%(一般在19.5%左右),产品耐高温和辐射,但生产成本高,产量受限,目前主要作空间电源用。以硅片作衬底,mocvd技术异质外延方法制造gaas电池是降用低成本很有希望的方法。已研究的砷化镓系列太阳电池有单晶砷化镓,多晶砷化镓,镓铝砷--砷化镓异质结,金属-半导体砷化镓,金属--绝缘体--半导体砷化镓太阳电池等。
砷化镓材料的制备类似硅半导体材料的制备,有晶体生长法,直接拉制法,气相生长法,液相外延法等。由于镓比较稀缺,砷有毒,制造成本高,此种太阳电池的发展受到影响。除gaas外,其它iii-v化合物如gasb,gainp等电池材料也得到了开发。
1998年德国费莱堡太阳能系统研究所制得的gaas太阳能电池转换效率为24.2%,为欧洲记录。首次制备的gainp电池转换效率为14.7%。另外,该研究所还采用堆叠结构制备gaas,gasb电池,该电池是将两个独立的电池堆叠在一起,gaas作为上电池,下电池用的是gasb,所得到的电池效率达到31.1%。
砷化镓(gaas)iii-v化合物电池的转换效率可达28%,gaas化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率,抗辐照能力强,对热不敏感,适合于制造高效单结电池。但是gaas材料的价格不菲,因而在很大程度上限制了用gaas电池的普及。
铜铟硒电池。
铜铟硒cuinse2简称cic.cis材料的能降为1.lev,适于太阳光的光电转换,另外,cis薄膜太阳电池不存在光致衰退问题。因此,cis用作高转换效率薄膜太阳能电池材料也引起了人们的注目。
cis电池薄膜的制备主要有真空蒸镀法和硒化法。真空蒸镀法是采用各自的蒸发源蒸镀铜,铟和硒,硒化法是使用h2se叠层膜硒化,但该法难以得到组成均匀的cis。cis薄膜电池从80年代最初8%的转换效率发展到目前的15%左右。日本松下电气工业公司开发的掺镓的cis电池,其光电转换效率为15.3%(面积1cm2)。1995年美国可再生能源研究室研制出转换效率17.l%的cis太阳能电池,这是迄今为止世界上该电池的最高转换效率。预计到2000年cis电池的转换效率将达到20%,相当于多晶硅太阳能电池。cis作为太阳能电池的半导体材料,具有价格低廉,性能良好和工艺简单等优点,将成为今后发展太阳能电池的一个重要方向。唯一的问题是材料的来源,由于铟和硒都是比较稀有的元素,因此,这类电池的发展又必然受到限制。
碲化镉太阳能电池。
cdte是Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,带隙1.5ev,与太阳光谱非常匹配,最适合于光电能量转换,是一种良好的pv材料,具有很高的理论效率(28%),性能很稳定,一直被光伏界看重,是技术上发展较快的一种薄膜电池。碲化镉容易沉积成大面积的薄膜,沉积速率也高。cdte薄膜太阳电池通常以cds/cdte异质结为基础。尽管cds和cdte和晶格常数相差10%,但它们组成的异质结电学性能优良,制成的太阳电池的填充因子高达ff=0.75。
盒子人生2016-04-2113:28:15。
21世纪初之前,太阳能电池主要以硅系太阳能电池为主,超过89%的光伏市场由硅系列太阳能电池所占领,但自2003年以来,晶体硅太阳能电池的主要原料多晶硅价格快速上涨,因此,业内人士自热而然将目光转向了成本较低的薄膜电池。薄膜太阳电池可以使用在价格低廉的玻璃、塑料、陶瓷、石墨,金属片等不同材料当基板来制造,形成可产生电压的薄膜厚度仅需数μm,目前转换效率最高可达13%以上。薄膜电池太阳电池除了平面之外,也因为具有可挠性可以制作成非平面构造其应用范围大,可与建筑物结合或是变成建筑体的一部分,应用非常广泛。
1.硅基薄膜电池。
硅基薄膜电池包括非晶硅薄膜电池、微晶硅薄膜电池、多晶硅薄膜电池,而目前市场主要是非晶硅薄膜电池产品。非晶硅的禁带宽度为1.7ev,通过掺硼或磷可得到p型或n型a-si。为了提高效率和改善稳定性,还发展了p-i-n/p-i-n双层或多层结构式的叠层电池。
2.碲化镉(cdte)薄膜电池。
碲化镉薄膜电池是最早发展的太阳电池之一,由于其工艺过程简单,制造成本低,实验室转换效率已超过16%,大规模效率超过12%,远高于非晶硅电池。不过由于镉元素可能对环境造成污染,使用受到限制。近年来美国firstsolar公司采取了独特的蒸气输运法沉积等特殊措施,解决了污染问题,开始大规模生产,并为德国建造世界最大的光伏电站提供40mw碲化镉太阳电池组件。
3.铜铟镓硒(cigs)薄膜电池。
铜铟镓硒薄膜电池是近年来发展起来的新型太阳电池,通过磁控溅射、真空蒸发等方法,在基底上沉积铜铟镓硒薄膜,薄膜制作方法主要有多元分布蒸发法和金属预置层后硒化法等。基底一般用玻璃,也可用不锈钢作为柔性衬底。实验室最高效率已接近20%,成品组件效率已达到13%,是目前薄膜电池中效率最高的电池之一。
4.砷化镓(gaas)薄膜电池。
砷化镓薄膜电池是在单晶硅基板上以化学气相沉积法生长gaas薄膜所制成的薄膜太阳电池,其直接带隙1.424ev,具有30%以上的高转换效率,很早就被应用于人造卫星的太阳电池板。然而砷化镓电池价格昂贵,且砷是有毒元素,所以极少在地面应用。
5.染料敏化薄膜电池。
染料敏化太阳电池是太阳电池中相当新颖的技术产品,由透明导电基板、二氧化钛(tio2)纳米微粒薄膜、染料(光敏化剂)、电解质和ito电极所组成。目前仍停留在实验室阶段,实验室最高效率在11%左右。